TECHNOLOGY PROFILE
半導体用フォトレジスト
Semiconductor Photoresist
技術概要
半導体用フォトレジストは、シリコンウエハー上へ回路パターンを形成するフォトリソグラフィ工程で使う感光性材料です。光を当てた部分の化学的性質を変化させ、現像、エッチング、成膜などの工程を通じて、半導体回路の微細な形状をつくります。
技術詳細
フォトレジストは、露光装置の波長、回路の微細化、ウエハーの材料、後工程の条件に応じて性能を変える必要があります。EUV、ArF、KrFなどの露光方式ごとに求められる解像度、感度、欠陥の少なさ、膜厚、現像特性が異なります。
先端ロジック、GPU、HBMなどの高性能半導体では、回路の微細化と高い歩留まりを両立する材料が重要です。一方、レジストは顧客の製造条件に合わせた評価・認証が必要なため、工場を増設するだけで直ちに売上が増えるわけではありません。
想定用途
- AIデータセンター向けGPU・アクセラレーター
- HBMなどの高性能メモリー
- 先端ロジック半導体
- NANDフラッシュメモリー
- パワー半導体
- 車載・産業機器向け半導体
技術的課題
- 顧客ごとの製造工程における認証取得
- 微細化に伴う欠陥抑制と歩留まり向上
- EUV向け材料の性能・供給安定性
- 需要変動に対応できる生産能力と稼働率の維持
- 原材料価格上昇への対応
この技術に関わる組織・プロジェクト
当サイトで確認した最新動向
最新動向
東京応化、世界最大級レジスト工場を竣工 AI半導体を支える首位企業は何を急ぐのか
実用化済み（NOW）情報確度 LV5｜公式発表変化｜設備投資
