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原子数個分、約1ナノメートル級の酸化亜鉛ナノシートを用いる超薄膜光センサーです。高い透明性、高感度な可視光検出、高温環境での安定動作を両立し、赤・緑・青の光を単一画素内で識別するフォトディテクタとして実証されています。 従来のカメラ用イメージセンサーでは、RGBごとにフィルタや受光素子を配置します。透明導電体ナノシートを積層する方式は、単一画素の多機能化によって、小型化・高集積化・製造工程の簡略化を目指す技術です。

3D NANDフラッシュメモリは、記憶セルを垂直方向に積層して記録密度を高める不揮発性半導体メモリです。AIによるデータ量の増加を背景に、大容量化、低消費電力化、安定供給が重要になっています。

ジルコニウム鉱石由来の中間体に微量に含まれるハフニウムを、溶媒抽出によって選択的に分離・精製する技術です。半導体用High-k材料、航空宇宙、光学材料、原子力などに使用される高純度ハフニウム化合物の安定供給につながります。

CMOSイメージセンサーは、レンズから入った光を電気信号へ変換し、画像データとして出力する半導体です。次世代品では、画素、信号処理回路、メモリーなどを高密度に集積し、画質、処理速度、消費電力、センサーサイズなどの性能向上を目指します。

ナノインプリントリソグラフィは、微細な回路パターンを形成したマスクを、ウエハー上の液状レジストへスタンプのように押し付け、紫外線で硬化させて回路パターンを転写する半導体製造技術です。大規模な光学系を使用せず、微細な回路や複雑な三次元構造を形成できるため、製造コストと消費電力の削減が期待されています。

科学技術シミュレーションを担うHPCと大規模AI処理を統合する次世代計算技術。CPU、GPU、ネットワーク、ストレージ、ソフトウェアを一体的に設計し、研究開発全体の高速化を目指します。

大容量のフラッシュメモリを高速化し、AIサーバーで使われるHBMやDRAMを補完するメモリ階層として活用する技術です。

半導体チップや配線を保護するため、金型内に供給した樹脂へ半導体部品を押し当て、圧縮成形によって封止する技術です。樹脂の流動を抑えながら、薄型化・大判化・高集積化した半導体パッケージを効率よく成形できます。

電気配線の一部を光配線へ置き換え、AIデータセンターの高速化と低消費電力化を図るNTTの光電融合デバイス。