PROJECT STATUS
プロジェクトの現在地
- 現在の段階
- 実証
- 状態
- 進行中
- 開始日
- 2023-10-13
- 商品化目標
- 2027年の半導体量産工程への本格適用
キヤノンは2023年10月13日、ナノインプリントリソグラフィを使用する半導体製造装置「FPA-1200NZ2C」を発売しました。
この装置は、回路パターンを形成したマスクをウエハー上のレジストへ直接押し付けることで、半導体の回路を形成します。
2024年9月には、米国テキサス州の半導体コンソーシアムTexas Institute for Electronicsへ装置を出荷しました。TIEでは、先端半導体や次世代デバイスへの適用を想定した研究・評価が行われます。
キヤノンは2026年第1四半期の決算説明で、主要半導体メーカーへ納入した装置が基本性能の確認を終え、実際の生産を想定した評価・検証へ移行したと説明しました。
量産適用の目標は2027年です。キヤノンは2026年の業績計画にナノインプリントの本格的な売上貢献を織り込んでおらず、2027年以降の本格貢献を見込んでいます。
これは、装置が発売されたことと、半導体メーカーの量産ラインへ正式採用されることの間に、大きな技術的・商業的な壁が残っていることを示します。
量産採用には、回路形成能力だけでなく、欠陥率、重ね合わせ精度、処理速度、装置稼働率、マスク寿命、製造コストなどを顧客の工程で確認する必要があります。
ナノインプリントは、EUV露光装置の全工程をただちに置き換える技術ではありません。半導体の種類や製造工程によって、EUV、DUV、ナノインプリントが使い分けられる可能性があります。
今後、主要半導体メーカーが量産採用を決定し、複数台の装置を発注すれば、キヤノンの半導体製造装置事業へ売上が発生します。さらに、保守、部品交換、マスク、レジストなどを含む関連市場の形成も期待できます。
一方、顧客評価で量産歩留まりや生産性が基準を満たさなければ、採用時期の延期や適用範囲の縮小も考えられます。
使用技術とプロジェクト内での用途
使用技術
ナノインプリントリソグラフィ
半導体ウエハーへ微細な回路パターンを形成するために使用する。最小線幅14nm、5nmノード相当のパターン形成に対応し、将来的に2nmノード相当を目指す。
技術情報を見る参加企業とプロジェクト内での役割
当サイトで確認した最新動向
最新動向
キヤノンはASML依存を崩せるか? 消費電力10分の1「ナノインプリント」が2027年量産へ
このテーマに関連する参考プロジェクト
技術的・産業的な接点を理解するための参考情報です。正式な提携や採用を示すものではありません。
